BSH103.215

Özellikler:

• FET Tipi: N-Channel
• Teknoloji: MOSFET (Metal Oksit)
• Drenajdan Kaynağa Voltaj (Vdss): 30 V
• Akım - Sürekli Drenaj (Id) @ 25°C: 850 mA (Ta)
• Sürüş Voltajı (Maksimum Rds On, Minimum Rds On): 2,5 V
• Rds On (Maksimum) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 500 mA, 4,5 V
• Vgs(th) (Maksimum) @ Id: 400 mV @ 1 mA (Minimum)
• Gate Yükü (Qg) (Maksimum) @ Vgs: 2,1 nC @ 4,5 V
• Vgs (Maksimum): ±8 V
• Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maksimum) @ Vds: 83 pF @ 24 V
• Güç Dağılımı (Maksimum): 540 mW (Ta)
• Çalışma Sıcaklığı: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Tedarikçi Cihaz Paketi: TO-236AB