Texas Instruments CSD88537ND
Özellikler:
- Teknoloji: MOSFET (Metal Oksit)
- Konfigürasyon: 2 N-Channel (Çift)
- Drenajdan Kaynağa Gerilim (Vdss): 60V
- Sürekli Drenaj Akımı (Id) @ 25°C: 15A
- Rds On (Maksimum) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
- Vgs(th) (Maksimum) @ Id: 3.6V @ 250µA
- Kapı Şarjı (Qg) (Maksimum) @ Vgs: 18nC @ 10V
- Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maksimum) @ Vds: 1400pF @ 30V
- Güç - Maksimum: 2.1W
- Çalışma Sıcaklığı: -55°C ~ 150°C (TJ)