FCPF099N65S3

Teknik Özellikler:

• Üretici (Mfr):

  • onsemi

• Seri:

  • SuperFET® III: onsemi'nin yüksek performanslı MOSFET serisi.

• Ambalaj Türü:

  • Tube: Genellikle toplu paketleme, boru şeklinde sunulur.

• Parça Durumu:

  • Active: Üretimde ve kullanılabilir durumda.

• FET Tipi:

  • N-Channel: Elektrik akımı, kanalın N tipi yarı iletken kısmından akar.

• Teknoloji:

  • MOSFET (Metal Oxide): Metal oksit yarı iletken teknolojisi.

• Drenajdan Kaynağa Gerilim (Vds):

  • 650V: FET'in çalışabileceği maksimum drain-to-source gerilimi.

• Sürekli Drenaj Akımı (Id) @ 25°C:

  • 30A (Tc): 25°C sıcaklıkta, sürekli olarak taşıyabileceği maksimum akım.

• Sürüş Gerilimi (Max Rds On, Min Rds On):

  • 10V: Bu voltajda, MOSFET'in direnç değeri minimuma iner.

• On Direnci (Rds On) Maksimum @ Id, Vgs:

  • 99mOhm @ 15A, 10V: MOSFET'in "on" durumunda, 15A akım ve 10V gate-source gerilimi ile maksimum direnç değeri.

• Gate-Source Kapalı Gerilim (Vgs(th)) Maksimum @ Id:

  • 4.5V @ 3mA: FET'in açılmaya başladığı gate-source gerilimi (threshold voltage).

• Gate Şarjı (Qg) Maksimum @ Vgs:

  • 57nC @ 10V: Gate'e uygulanması gereken maksimum yük.

• Vgs (Maksimum):

  • ±30V: Gate-source geriliminin maksimum limitleri.

• Giriş Kapasitesi (Ciss) Maksimum @ Vds:

  • 2310pF @ 400V: 400V drain-to-source gerilimde, MOSFET'in giriş kapasitesi.

• FET Özellikleri:

  • - (Özellik belirtilmemiş.)

• Güç Dağılımı (Maksimum):

  • 43W (Tc): Bu MOSFET'in maksimum güç dağılımı.

• Çalışma Sıcaklığı Aralığı:

  • -55°C ~ 150°C (TJ): MOSFET'in çalışabileceği sıcaklık aralığı.

• Montaj Türü:

  • Through Hole: Delikten geçmeli montaj.

• Tedarikçi Cihaz Paketi:

  • TO-220F: TO-220 formatında paket.

• Paket / Kasa:

  • TO-220-3 Full Pack: TO-220 üç bacaklı paket tipi.