Rohm Semiconductor RQ5E035BNTCLCT-ND
Özellikler:
- FET Tipi: N-Kanal
- Teknoloji: MOSFET (Metal Oksit)
- Dran-Source Voltajı (Vdss): 30 V
- Sürekli Dran Akımı (Id) @ 25°C: 3.5 A (Ta)
- Sürüş Voltajı (Max Rds On, Min Rds On): 4.5 V, 10 V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mΩ @ 3.5 A, 10 V
- Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5 V @ 1 mA
- Kapı Yükü (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
- Vgs (Max): ±20 V
- Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 15 V
- Güç Dağılımı (Max): 1 W (Ta)
- Çalışma Sıcaklığı: 150°C (TJ)
- Montaj Tipi: Yüzey Montaj